15. ESD-Forum 2017 (München)
Tagungsprogramm
Eingeladener Vortrag:
- Electric Honeycomb – Das Verhalten von Öl im inhomogenen elektrischen Hochspannungsfeld
M. Meyer, M. Danner – Dürer-Gymnasium, Nürnberg
Preisträger Bayerischer Landeswettbewerb „Jugend forscht“ 2017
Outstanding Paper Award of EOSESD 2016:
- Predict the Product Specific CDM Stress Using Measurement-based Models of CDM Discharge Heads
F. zur Nieden – Infineon Technologies AG - EDA Approaches in Identifying Latchup Risks
M. Khazhinsky – Silicon Labs
Sitzung 1: Schädigungen
- Analyse von „Soft Fails“ aufgrund von ESD-Ereignissen in Integrierten Schaltungen
T. Ostermann – Johannes Kepler Universität Linz - The Latent Failure Issue Seen from the Other Side: Normal Operation after ESD Induced Degeneration of Devices and Systems
G. Groos – Universität der Bundeswehr München
Sitzung 2: ESD-Kontrollprogramme und Schutzmaßnahmen I
- Ladungseffekte und ESD-Prävention am Beispiel der RFID-Chipkarten
P. Jacob – EMPA und EM Microelectronic-Marin SA - Risikobewertung von Kabelentladungen
W. Stadler – Intel Deutschland GmbH
Sitzung 3: ESD-Kontrollprogramme und Schutzmaßnahmen II
- Mehrstufiges ESD-Schutzkonzept am Beispiel Robert Bosch Werk Bühl
K. Geppert – Robert Bosch GmbH - Praxisgerechte ESD-Prüfmethoden/-Verifizierungen in den ESD-Schutzzonen
K. Geppert – Robert Bosch GmbH - Status der Normenarbeit (wird nicht veröffentlicht)
Fachkreismitglieder des ESD FORUM e.V. und Mitglieder in den Standardisierungskomitees
Sitzung 4: Messtechnik
- Vergleich transienter Testpulse im Bezug zu Transmission Line Pulsing
P. Schrey – Technische Universität Graz - Simulation and Experimental Investigation of Slew Rate Related ESD Failures of CDM and CC TLP
J. Weber – Fraunhofer EMFT - Simulation von Strom und Spannung an einem IC bei Belastung mit CCTLP
F. zur Nieden – Infineon Technologies AG - Fields of Application of Capacitively Coupled TLP
K.T. Kaschani – Texas Instruments Deutschland GmbH
Sitzung 5: Schutzelemente auf Bauteil- und Systemebene
- Two-Transistor Voltage-Tolerant Secondary ESD Protection
K.T. Kaschani – Texas Instruments Deutschland GmbH - Simulation of System Level ESD Robustness Using Advanced Behavioral IC Models under Consideration of PCB Parasitics
M. Ammer – Infineon Technologies AG
Sitzung 6: ESD-Kontrollprogramme und Schutzmaßnahmen III
- Direkte Messung des Entladestroms beim Einsatz von Ionisatoren
S. Seidl – Infineon Technologies AG - ESD-Aufladungen an bestückten Leiterplatten aufgrund Bürstprozess
T. Wagner – Siemens AG - Organisatorische Anforderungen an einen effektiven ESD-Schutz
Ch. Hinz – Stat-X Deutschland GmbH