6. ESD-Forum 1999 (München)

Sitzung 1: ESD-Umgebung

• Elektrostatische Aufladung von Personen 
  
  J. Thürmer – 3M Eurolab
• Veränderungen nach der Bestätigung der neuen ESD-Vorschriften IEC61340-5-1 und IEC61340-5-2 - Meßverfahren für den Ableit-, Oberflächen- und Durchgangswiderstand 
  
  H. Berndt – B.E.STAT GmbH
• Untersuchung der ESD-Tauglichkeit von leitfähigen Industrieböden in ESD-Schutzzonen 
  
  R. Pfeifle – Wolfgang Warmbier
• Der Einfluß der Annäherungsgeschwindigkeit und der Luftfeuchtigkeit auf der Störwirkung der ESD 
  
  S. Frei – Audi AG
• Field Induced CDM-Ausfall in der Halbleiterfertigung 
  
  R. Gärtner – Infineon Technologies AG
• Stand der Normungen im TC 101 
  
  H. Eisfeld

Sitzung 2: Elektrostatik auf Halbleiterebene

• HBM- and TLM-ESD Wafer Mapping 
  
  J. Reiner – Philips Semiconductors AG
• Übertragbarkeit der ESD-Konzepte von CMOS-Technologien auf deren BiCMOS-Pendants 
  
  K. Esmarck –Infineon Technologies AG
• Transient Induced Latch-Up Triggered by Very Fast Pulses 
  
  D. Bonfert – Fraunhofer Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration
• Influence of Device Geometry on ESD-Performance for Deep Submicron CMOS Technology 
  
  K. Bock – IMEC
• Einfluß der Anzahl der Belastungspulse auf die HBM-ESD-Festigkeit elektronischer Bauelemente 
  
  T. Brodbeck – Infineon Technologies AG
• Application of an ESD-MOS Compact Model for IC Design 
  
  M. Mergens – Robert Bosch GmbH