6. ESD-Forum 1999 (München)

Tagungsprogramm 

Sitzung 1: ESD-Umgebung

  • Elektrostatische Aufladung von Personen 

    J. Thürmer – 3M Eurolab
  • Veränderungen nach der Bestätigung der neuen ESD-Vorschriften IEC61340-5-1 und IEC61340-5-2 - Meßverfahren für den Ableit-, Oberflächen- und Durchgangswiderstand 

    H. Berndt – B.E.STAT GmbH
  • Untersuchung der ESD-Tauglichkeit von leitfähigen Industrieböden in ESD-Schutzzonen 

    R. Pfeifle – Wolfgang Warmbier
  • Der Einfluß der Annäherungsgeschwindigkeit und der Luftfeuchtigkeit auf der Störwirkung der ESD 

    S. Frei – Audi AG
  • Field Induced CDM-Ausfall in der Halbleiterfertigung 

    R. Gärtner – Infineon Technologies AG
  • Stand der Normungen im TC 101 

    H. Eisfeld

Sitzung 2: Elektrostatik auf Halbleiterebene

  • HBM- and TLM-ESD Wafer Mapping 

    J. Reiner – Philips Semiconductors AG
  • Übertragbarkeit der ESD-Konzepte von CMOS-Technologien auf deren BiCMOS-Pendants 

    K. Esmarck –Infineon Technologies AG
  • Transient Induced Latch-Up Triggered by Very Fast Pulses 

    D. Bonfert – Fraunhofer Institut für Zuverlässigkeit und Mikrointegration
  • Influence of Device Geometry on ESD-Performance for Deep Submicron CMOS Technology 

    K. Bock – IMEC
  • Einfluß der Anzahl der Belastungspulse auf die HBM-ESD-Festigkeit elektronischer Bauelemente 

    T. Brodbeck – Infineon Technologies AG
  • Application of an ESD-MOS Compact Model for IC Design 

    M. Mergens – Robert Bosch GmbH