2. ESD-Forum 1991 (Neuss)

Tagungsprogramm 

Sitzung 1: ESD-Schutz in der Mikroelektronikanwendung/produktion

  • ESD-Schutzstrategie für Mikroelektronikhersteller 

    U. Bethäuser – Siemens Nixdorf
  • Untersuchung verschiedener Konzepte zur Prüfung der ESD-Schutzwirkung von "Transparent Static Shielding Bags" in Anlehnung an den ANSI EIA-514 Standard 

    K. Schumacher – 3M Laboratories Europe GmbH
  • Bestimmung der Schutzwirkung von Verpackungsbeuteln verschiedener Konstruktionsprinzipien mit einem Aufbau gemäß EIA-541 

    R. Gärtner – Universität der Bundeswehr München
  • Anforderungsprofil für Schutzbeutel gegen Elektrostatik und relevante Testmethoden 

    H.-P. Brandt – 3M Laboratories Europe GmbH
  • Untersuchung der triboelektrischen Eigenschaften von Verpackungsfolien (Inclined Plane Test) 

    R. Gärtner – Universität der Bundeswehr München
  • Surface Resistivity: Why? 

    P. Malinverni – Grace Italiana S.p.A.

Sitzung 2: ESD-Simulation

  • Vergleich von HBM-Testgeräten nach einem erweiterten MIL-Standard 

    H. Baumgärtner – Universität der Bundeswehr München
  • Aufbau eines Rechteckimpulsgenerators nach dem "Transmission-Line-Prinzip" und in-Situ-Messungen an integrierten Halbleiterstrukturen 

    C. Russ – TU München
  • Hochfrequenztechnische Charakterisierung eines Testaufbaus nach dem "Charged Device Model" mit Empfehlungen zu Testeraufbau und Testablauf 

    H. Gieser – TU München

Sitzung 3: ESD in der integrierten Schaltung

  • Schaltungsstress durch ESD - Schützen CMOS-Eingangsschutzstrukturen die Schaltung oder umgekehrt? 

    X. Guggenmos – Siemens AG
  • Einfluß des Serienwiderstandes durch "on chip" Versorgungsleitungen auf das ESD-Verhalten eines Bausteins 

    H. Terletzki – Siemens AG
  • Feldemissionstrukturen für ESD-Schutzschaltungen im Mikrowellenbereich 

    K. Bock – TH Darmstadt
  • Elektro-thermische Simulation integrierter Halbleiterstrukturen 

    T. Körfer – TU München
  • Latente ESD-Fehler 

    V. Dudek – Institut für Mikroelektronik Stuttgart