15. ESD-Forum 2017 (München)

Tagungsprogramm 

Eingeladener Vortrag:

  • Electric Honeycomb – Das Verhalten von Öl im inhomogenen elektrischen Hochspannungsfeld 

    M. Meyer, M. Danner – Dürer-Gymnasium, Nürnberg
    Preisträger Bayerischer Landeswettbewerb „Jugend forscht“ 2017

Outstanding Paper Award of EOSESD 2016:

  • Predict the Product Specific CDM Stress Using Measurement-based Models of CDM Discharge Heads 

    F. zur Nieden – Infineon Technologies AG
  • EDA Approaches in Identifying Latchup Risks 

    M. Khazhinsky – Silicon Labs

Sitzung 1: Schädigungen

  • Analyse von „Soft Fails“ aufgrund von ESD-Ereignissen in Integrierten Schaltungen 

    T. Ostermann – Johannes Kepler Universität Linz
  • The Latent Failure Issue Seen from the Other Side: Normal Operation after ESD Induced Degeneration of Devices and Systems 

    G. Groos – Universität der Bundeswehr München

Sitzung 2: ESD-Kontrollprogramme und Schutzmaßnahmen I

  • Ladungseffekte und ESD-Prävention am Beispiel der RFID-Chipkarten 

    P. Jacob – EMPA und EM Microelectronic-Marin SA
  • Risikobewertung von Kabelentladungen 

    W. Stadler – Intel Deutschland GmbH

Sitzung 3: ESD-Kontrollprogramme und Schutzmaßnahmen II

  • Mehrstufiges ESD-Schutzkonzept am Beispiel Robert Bosch Werk Bühl 

    K. Geppert – Robert Bosch GmbH
  • Praxisgerechte ESD-Prüfmethoden/-Verifizierungen in den ESD-Schutzzonen 

    K. Geppert – Robert Bosch GmbH
  • Status der Normenarbeit (wird nicht veröffentlicht)
    Fachkreismitglieder des ESD FORUM e.V. und Mitglieder in den Standardisierungskomitees

Sitzung 4:  Messtechnik

  • Vergleich transienter Testpulse im Bezug zu Transmission Line Pulsing 

    P. Schrey – Technische Universität Graz
  • Simulation and Experimental Investigation of Slew Rate Related ESD Failures of CDM and CC TLP 

    J. Weber – Fraunhofer EMFT
  • Simulation von Strom und Spannung an einem IC bei Belastung mit CCTLP 

    F. zur Nieden – Infineon Technologies AG
  • Fields of Application of Capacitively Coupled TLP 

    K.T. Kaschani – Texas Instruments Deutschland GmbH

Sitzung 5:  Schutzelemente auf Bauteil- und Systemebene

  • Two-Transistor Voltage-Tolerant Secondary ESD Protection 

    K.T. Kaschani – Texas Instruments Deutschland GmbH
  • Simulation of System Level ESD Robustness Using Advanced Behavioral IC Models under Consideration of PCB Parasitics 

    M. Ammer – Infineon Technologies AG

Sitzung 6:  ESD-Kontrollprogramme und Schutzmaßnahmen III

  • Direkte Messung des Entladestroms beim Einsatz von Ionisatoren 

    S. Seidl – Infineon Technologies AG
  • ESD-Aufladungen an bestückten Leiterplatten aufgrund Bürstprozess 

    T. Wagner – Siemens AG
  • Organisatorische Anforderungen an einen effektiven ESD-Schutz 

    Ch. Hinz – Stat-X Deutschland GmbH